掺杂 - 上海羿淳科技有限公司

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掺杂

掺杂简介

掺杂是将一定数量和一定种类的杂质掺入硅中，并获得精确的杂质分布形状，可用来改变晶片电学性质，实现器件和电路纵向结构。包含扩散、离子注入等方式。高温扩散是利用高温驱动杂质穿过硅晶体结构。离子注入是通过高温离子轰击，使杂质注入硅片，杂质通过与硅片发生原子级的高能碰撞，才能被注入。上海羿淳科技为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握离子注入、扩散、退火等多种半导体掺杂技术。

掺杂

金属有机物化学气相沉积	GaN，GaAs
化学气相沉积	SIC
离子注入	B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si
高温氧化
高温扩散/退火
快速退火

案例展示