减薄 - 苏州新超半导体科技有限公司

光刻
刻蚀
镀膜
键合
掺杂
切割
打孔
减薄
抛光
电镀

减薄

减薄简介

通常在晶片封装前，需要对晶片背面多余的基体材料去除一定的厚度，这一工艺过程称之为晶片减薄。在后道制程阶段，晶圆（正面已布好电路的硅片）在后续划片、压焊和封装之前需要进行背面减薄加工以降低封装贴装高度，减小芯片封装体积，改善芯片的热扩散效率、电气性能、机械性能及减小划片的加工量。新超半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握机械研磨、化学机械抛光等晶圆芯片半导体减薄技术。/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握多种光刻技术。

减薄技术

减薄技术	机械研磨、化学机械抛光等

应用材料

应用材料	Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等

均匀性

±2um

案例展示