上海羿淳科技有限公司
光刻胶
半导体材料
Semiconductor Materials
光刻胶
光刻胶简介
光刻胶又称光致抗蚀剂,是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射,其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。可用于深硅刻蚀,适合于高深宽比工艺,透明度高,垂直度好。
光刻胶参数
上海羿淳科技提供多种类型及规格的光刻胶
类型 光刻胶型号 厚度/um 分辨率 适用工艺
AZ系列 AZ5214,AZ4620,AZ6130等 1-30um 1um 可用于深硅刻蚀
PI LTC9000系列 4-50um 4um 用于非铜衬底工艺,固化温度最低可以达到250C°
电子束胶 HSQ Fox-15/16 100nm 350nm-810nm 高分辨率特性的光刻胶,抗刻蚀
Lift-off光刻胶 LOR/PMGI-SF系列 50nm-6um 高分辨率,双层lift-off的底层胶
案例展示
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