| 硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等 |
| 接触式光刻 | 最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm |
| 步进式光刻 | 投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm |
| 电子束光刻 | 最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围<直径100mm |
| 碱性 | KOH，TMAH |
| 酸性 | HF，BOE，HCI，HNO3等 |
| 硅、氧化硅、氮化硅、金属、石英等材料 |
| 离子束刻蚀（IBE） | 用于较难刻蚀的金属或其他物质 |
| 深硅刻蚀（DRIE） | 刻蚀均匀性<±5%，选择比＞50:1 |
| 反应离子刻蚀（RIE） | 刻蚀Si，SiO₂，SiNx等 |
| 聚焦离子束刻蚀（FIB） | 可对材料和器件进行刻蚀、沉积、掺杂等微纳加工 |
| 电感耦合（ICP）等离子刻蚀 | 刻蚀GaN，GaAs，InP等材料 |
| 氧化氮化膜、金属膜、光学膜、复合膜等 |
| 金属 | Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、Pd、Zn、Mo、W、Ta 、Nb等镀膜材料 |
| 非金属 | Si、SiO2、SiNx、Al2O3、HFO2、MgF2、Ta2O5、ITO等镀膜材料 |
| 基底 | 硅片、石英玻璃片、蓝宝石片、PET、Pi等 |
| 基底尺寸 | 2-8英寸 |
| 厚度 | nm级别、um级别，可按需定制 |
| 表面 | 单面、双面 |
| 电子束蒸发 | Ti，Al，Ni，Ag，Cu，Cr，Sn，Pt，AuGe |
| 磁控溅射 | Ti、Al、Ni、Au、Ag、Cr、Pt、Cu、TiW90、Pd、Pt、Zn、Mo、W、Ta、Ru、Si、SiC、NiCr20、Nb |
| LPCVD（低压化学气相沉积） | SiNx，Poly-Si 片内均匀性：<±5% |
| PECVD（等离子体增强化学气相沉积） | SiO₂，SiNx，a-Si(B,P掺杂) |
| ALD原子层沉积 | Al2O3、HfO2、AlN、ZrO2、SiO2、TiN、TiO2 |
| 阳极键合 | 是一种利用电场辅助的键合技术 |
| 适用于 | 硅片与玻璃，金属与玻璃、半导体与合金、半导体与玻璃间的键合 |
| 共晶键合 | 又称静电键合）涉及使用低熔点的合金作为中间层，如金-锡（Au-Sn）合金。当合金被加热到其共熔点时，液态金属填充两个材料表面的微观凹陷，冷却后形成固态金属键，实现坚固的连接 |
| 适用于 | PbSn，AuSn，CuSn，AuSi等材料 |
| 胶键合 | 使用特定的粘合剂，来连接两个表面 |
| 采用 | AZ4620，SU8等键合专用胶 |
| 适用 | 4寸、6寸 |
| 金属有机物化学气相沉积 | GaN，GaAs |
| 化学气相沉积 | SIC |
| 离子注入 | B，P，F，Al，N，Ar，H，He，Si |
| 高温氧化 | |
| 高温扩散/退火 | |
| 快速退火 |
| 激光切割 | 硅基底 |
| 厚度 | 100-700μm |
| 晶圆尺寸 | 2寸、4寸、6寸、8寸 |
| 刀片切割 | Si，Ge，玻璃，石英，陶瓷，电路板切割 |
| 2-8寸晶圆 |
| 金属材料及硅、锗、砷化镓和其他半导体衬底材料划片和切割 |
| 玻璃，石英，陶瓷，电路板切割 |
| 材质 | 玻璃、金属片、硅片、半导体、芯片等 |
| 微米级孔径 | 提供微孔打孔加工服务 |
| 减薄技术 | 机械研磨、化学机械抛光等 |
| 应用材料 | Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等 |
| 均匀性 | ±2um |
| 抛光技术 | 机械抛光法、化学抛光法、化学机械抛光等 |
| 应用材料 | Si，GaAs，GaN，InP，玻璃，蓝宝石，陶瓷等 |
| 表面粗糙度 | 1-50nm |
| 晶圆级电镀 | Au，Cu，Ni，Sn |
| 非标尺寸微电铸工艺 | 可接受非标尺寸及柔性衬底的的Au，Cu，Ni的电镀 |
| 化学镀镍钯金 |
搜索
CN
