光刻 - 苏州新超半导体科技有限公司

光刻

Lithography

光刻简介

光刻工艺是半导体材料制造工艺中的一个重要步骤，该步骤利用曝光和显影在光刻胶层上刻画几何图形结构，然后通过刻蚀工艺将光掩模上的图形转移到所在衬底上。新超半导体为多家高校/科研机构提供MEMS加工代工服务，熟练掌握多种光刻技术。

应用材料

硅片，玻璃，蓝宝石，柔性材料等

光刻技术

接触式光刻	最小图形尺寸：1μm，套刻精度：±0.5μm
步进式光刻	投影比例1:5，最小图形尺寸：0.35μm，套刻精度≤0.15μm(X,Y)，曝光范围<22*22mm
电子束光刻	最小图形尺寸：10nm，套刻精度：40nm，曝光范围<直径100mm

案例展示